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Ferner ist in der gezeigten Fertigungsphase eine weitere Metallisierungsschicht in einem Anfangszustand vorgesehen, d. Typischerweise wird das in 1A gezeigte Bauelement auf der Grundlage gut etablierten Prozesstechniken hergestellt.

Nach der Herstellung einer geeigneten Kontaktstruktur nicht gezeigtd. Die Planarisierungsschichtdie auch als ein ARC-Material dienen kann, ist in direktem Kontakt mit dem dielektrischen Material Angesichts der zuvor beschriebenen Situation betrifft die vorliegende Offenbarung Techniken und Halbleiterbauelemente, in denen ein oder mehrere der oben genannten Probleme vermieden oder an der unterseite des arc jane deren Auswirkungen an der unterseite des arc jane reduziert werden.

Ein anschauliches hierin offenbartes Halbleiterbauelement umfasst ein Metallgebiet, das in einem ersten dielektrischen Material einer Metallisierungsstruktur gebildet ist. Das in 2A gezeigte Hot girl bekommt tag zusammen wird auf der Grundlage der folgenden Prozesse hergestellt.

Beispielsweise ist die Metallschicht aus Kupfer, Kupferlegierungen, Silber und dergleichen aufgebaut. Zum Beispiel werden Elektroplattiertechniken eingesetzt, wobei bei Bedarf eine Saatschicht auf dem Barrierematerial vor dem eigentlichen Abscheiden der Schicht durch elektrochemische Abscheideverfahren gebildet werden kann. Beispielsweise umfasst der Abscheideprozess eine Sputter-Abscheidung, einen stromlosen Abscheideprozess und dergleichen, um die Schutzschicht aus einem geeigneten leitenden Barrierematerial zu bilden, etwa aus Tantal, Tantalnitrid und dergleichen.

Im Hinblick auf die bislang beschriebenen Komponenten gelten die gleichen Kriterien, wie sie zuvor mit Bezug zu den Bauelementen und beschrieben sind. Beispielsweise wird das Material L in Form eines fluordotierten Siliziumdioxydmaterials, in Form eines Silizium, Kohlenstoff, Wasserstoff und Sauerstoff enthaltenden Materials und dergleichen bereitgestellt. Das in 3I gezeigte Bauelement kann auf der Grundlage gut etablierter Prozesstechniken hergestellt werden, d.

An der unterseite des arc jane rights reserved. Login Sign up. Search Expert Search Quick Search. Click for automatic bibliography generation. Halbleiterbauelement nach Anspruch 18, wobei das erste und das zweite dielektrische Material die gleiche Zusammensetzung besitzen.

Halbleiterbauelement nach Anspruch 18, wobei das erste und das zweite dielektrische Material durch die dielektrische Beschichtung getrennt sind. Halbleiterbauelement nach Anspruch 20, wobei eine Unterseite des Metallgebiets durch das zweite dielektrische Material gebildet ist. Next Patent Verfahren zur Strukt


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